Tüzemen, Ebru ŞenadımHopoğlu, Hicret2024-10-192024-10-192022https://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=5XiSE4yCP_gmnukpMEp65e2kMEfT5YFYCiO2nrz2KBktn1pDRCpz1F56GmytFUVIhttps://hdl.handle.net/20.500.12418/17612Fen Bilimleri Enstitüsü, Optik Mühendisliği Ana Bilim DalıBu çalışmada, katkısız ve azot katkılı ince filmler farklı alttaşlar üzerine NiO hedefi kullanılarak farklı büyütme basıncı, farklı kalınlık, farklı alttaş sıcaklığı ve farklı miktarlarda azot katkısıyla RF magnetron söktürme yöntemi ile büyütülmüştür. Farklı büyütme şartlarında üretilmiş olan filmlerin kristal yapı, geçirgenlik ve enerji bant aralığı ayrıntılı olarak incelenmiştir. Bir p-tipi oksit yarıiletken olan Nikel oksit (NiO), çok yönlü ve ayarlanabilir özelliklerinden dolayı büyük ilgi görmektedir. Dirençli anahtarlama rastgele erişimli bellek cihazları ve son derece hassas ve seçici sensör uygulamaları dahil olmak üzere çok çeşitli elektronik uygulamalarında kritik malzemelerden biridir. Ek olarak geniş bant aralığından dolayı (NiO veya Ni(II) oksit, yüksek dirence, 3,6 – 4,0 eV'luk geniş bir bant aralığına sahiptir) NiO'yu yeni ortaya çıkan optoelektronik ve p-n heteroeklemlerde çalışmalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. NiO ince filmlerin özellikleri büyük ölçüde depolama yöntemine ve koşullarına bağlıdır.In this study, pure and nitrogen-doped thin films have been grown on different substrates by using NiO target with different growth pressure, different thickness, different substrate temperature and different amounts of nitrogen additive by RF magnetron sputtering method. The crystal structure, transmittance, and energy band gap of the films to be produced under different growing conditions have been examined in detail. Nickel oxide (NiO), a p-type oxide semiconductor, has attracted great attention due to its versatile and tunable properties. Resistive switching is one of the critical materials in a wide variety of electronics applications, including random access memory devices and highly sensitive and selective sensor applications. In addition, due to its wide band gap (NiO or Ni(II) oxide has high resistivity, a wide band gap of 3.6 – 4.0 eV), NiO is widely used in studies in emerging optoelectronics and p-n heterojunctions. The properties of NiO thin films are highly dependent on the deposition method and conditions.trinfo:eu-repo/semantics/openAccessMühendislik BilimleriEngineering SciencesMaster Thesis961711382