Altun, DidemElagöz, Sezai2025-05-042025-05-0420242980-0110https://hdl.handle.net/20.500.12418/32691In this study, the electrical characterization of a low-temperature GaN (LT-GaN) layer within an InGaN/GaN blue light-emitting LED structure grown on a sapphire substrate using the Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method was examined. For high-quality growth of the GaN layer on a sapphire substrate, a two-stage GaN growth process is employed, consisting of a low-temperature GaN (LT-GaN) layer and a high-temperature GaN (HT-GaN) layer. This study specifically investigates the structural and electrical properties of the LT-GaN layer, which is the first stage of the GaN growth process. Structural characterization was performed using high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), while electrical characterization involved Hall effect measurements and current-voltage (I-V) measurements. Based on the results from structural and electrical measurements, the optimal growth temperature for the LT-GaN layer was determined, and the effect of growth temperature on the electrical properties was demonstrated.Bu çalışmada, Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) yöntemi kullanılarak safir alttaş üzerine büyütülen InGaN/GaN mavi ışık yayan LED yapısında düşük sıcaklık GaN (LT-GaN) tabakasının elektriksel karakterizasyonu incelenmiştir. Safir alttaş üzerine GaN tabakasının kaliteli büyütülebilmesi için düşük sıcaklık GaN (LT-GaN) tabakası ve yüksek sıcaklık GaN (HT-GaN) tabakası şeklinde iki aşamalı GaN büyütmesi yapılır. Bu çalışmada GaN tabakasının büyütme aşamalarından ilki olan düşük sıcaklıkta GaN (LT-GaN) tabakasının yapısal ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Yapısal karakterizasyon yüksek çözünürlüklü X ışını kırınımı (HRXRD) ile, elektriksel karakterizasyon ise Hall etkisi ölçümü ve akım gerilim ölçümleri ile yapılmıştır. Yapısal ve elektriksel ölçümlerden elde edilen sonuçların değerlendirilmesi ile düşük sıcaklık LT-GaN tabakası için ideal büyütme sıcaklığı belirlenmiş, büyütme sıcaklığının elektriksel özellikler üzerindeki etkisi gösterilmiştir.en10.69560/cujast.1580874https://doi.org/10.69560/cujast.1580874info:eu-repo/semantics/openAccessGallium Nitride (GaN)Electrical CharacterizationI-VHall Effect MeasurementResearch Article3210196