Al/Ruthenium(II) complex/ p-Si Fotodiyotun Fotovoltaik ve Elektriksel Özellikleri

Abstract

Bu çalışma, p-Si kristali üzerine tris (2,2'-bipyridine) Ruthenium(II)-complex ince filmin döndürme kaplama yöntemi ile (Al/Ru(II)/p-Si) yapısının oluşturulması ile ilgilidir. Karakteristik parametreler oda sıcaklığında karanlık ve aydınlatma durumundaki akım-gerilim (I-V) eğrilerinden belirlendi. İlk olarak organik ince filmin optiksel özellikleri, soğurma spektrumu kullanılarak, bant aralığı 2.74 eV olarak bulundu. Ondan sonra Al/Ru(II)/p-Si fotodiyotunun, idealite faktörü (n), engel yüksekliği (?bI-V), difüzyon potansiyeli, engel yüksekliği (?bC-V) ve taşıyıcı konsantrasyonu (Na) gibi elektriksel parametreler, oda sıcaklığında (I-V) ve (C-V) ölçümlerinden hesaplandı. Her iki engel yüksekliği değeri birbirleri ile karşılaştırıldı. Cheung metodu kullanılarak karanlık ve 100 mW/cm2 aydınlatma durumu altında seri direnç (Rs), engel yüksekliği ve idealite faktörü belirlendi. Devrenin fotovoltaik parametreleri aydınlatma durumunda incelendi. Al/Ru(II)/p-Si için açık devre voltajı ve kısa devre akımı sırasıyla 439.9 x 10-3 V ve 36.6 x 10-6 A olarak bulundu. Ruthenium (II) complex, fotovoltaik performansı pozitif olarak etkilemiştir. Bu sonuçlar Al/Ru(II)/p-Si yapısının fotovoltaik ve fotodedektör uygulamalarında bir fotodiyot olarak kullanılabileceğini ortaya çıkarmıştır.

This study is about the deposition of tris (2,2'-bipyridine) Ruthenium(II)-complex thin film on ptype crystalline silicon (Si) by spin coating method (Al/Ru(II)/p-Si). The characteristics parameters were evaluated from the current-voltage (I-V) under dark and illumination at room temperature. First, the optical properties of the organic thin film were determined from its optical absorption spectrum, and its band gap was found to be 2.74 eV. Then, the electrical parameters of the Al/Ru(II)/p-Si photodiode, such as the ideality factor (n), barrier height (?bI-V), diffusion potential, barrier height (?bC-V) and carrier concentration (Na) were calculated from the I-V and C-V measurement at room temperature. Both measurements barrier height values were compared. Cheung method was used to determine the series resistance (Rs), barrier height and ideality factor, under dark and 100 mW/cm2 illumination conditions. The photovoltaic parameters of the studied device were investigated under illumination conditions. The open-circuit voltage and short circuit current values for the Al/Ru(II)/p-Si were found to be 439.9 x 10-3 V and 36.6 x 10-6 A respectively. Ruthenium(II) complex positively influences the photovoltaic performance. These results reveal that the Al/Ru(II)/p-Si built can be used as a photodiode in photovoltaic and photodetector applications.