Optical and Structural Properties of MOCVD Grown InxGa1-xAs

Abstract

InxGa1-xAs tabakaları katkısız InP (100) alttaş üzerine Aixtron 200-4 RF/S yatay Metal Organik Kimyasal Buhar Depolama (MOCVD) sistemi ile büyütülmüştür. Bütün epikatmanlar farklı indiyum konsantrasyonlarında büyütülmüştür. Katmanların kalınlıkları Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ile ölçülmüştür. İndiyum konsantrasyonları Yüksek Çözünürlüklü X-ışını Kırınım (HRXRD) cihazı ile tayin edildi ve kırılma indisi (n) ve kalınlıkların belirlenmesi için optiksel ölçümler spektroskopik elipsometre ile yapıldı. In-situ yansıma, örneklerin kalınlıklarının belirlenmesi için kullanılmıştır. Son olarak bütün kalınlıklar karşılaştırılmıştır

InxGa1-xAs layers on undoped InP (100) substrates were grown with Aixtron 200-4 RF/S horizontal Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactor. All the epilayers have been grown with different indium compositions. Thickness of the samples were measured via Scanning Electron Microscopy (SEM). Indium concentrations were defined by High Resolution X-ray Diffraction (HRXRD) and optical measurements were done with spectroscopic ellipsometry in order to obtain refractive index (n) and thickness of the samples. In-situ reflectance is used to measure thickness of samples. Then all of the thicknesses are compared