Yazar "Öztürk, Ozan" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 2 / 2
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Electronic characteristics of asymmetric triple GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs quantum wells depending on Al and In concentration
    (2020) Öztürk, Ozan; Öztürk, Emine; Elagöz, Sezai
    Herein, the electronic characteristics of asymmetric triple Ga1-x Alx As/GaAs quantum wells(A model) and Ga1-x Inx As/GaAs quantum wells (B model) have been examined asdependent on Al and In concentration. The energy levels, the wave functions and the findingprobability of electron in quantum well (QW) of these systems under effective mass approachwere concluded by Schrödinger equation solution. According to our results, the maindifferences between models A and B are effective mass and energy gap. For A model,GaAlAs is the barrier and GaAs is the well. Whereas for B model, GaAs is the barrier andGaInAs is the well. Also, the energy levels and the potential height of B model areunceasingly higher than of B model. The concentration ratio has a great impact on theelectronic features of the asymmetric triple quantum well (ATQW). These features have aconvenient attention for the purpose of adjustable semiconductor devices.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Üçlü GaAlAs/GaAs ve Gainas/GaAs nano yapıların elektronik özellikleri
    (Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, 2018) Öztürk, Ozan; Elagöz, Sezai
    Bu çalışmada, Ga_(1-x) Al_x As/GaAs ve Ga_(1-x) In_x As/GaAs yapılardan oluşan hem simetrik-asimetrik çift kuantum kuyuları hem de asimetrik üçlü kuantum kuyularının elektronik özellikleri (enerji özdeğer ve özfonksiyonları, olasılık yoğunlukları), sistemin ayarlanabilir fiziksel parametreleri (kuyu genişliği, potansiyel yüksekliği ve engel kalınlığı) bağlı olarak araştırılmıştır. Etkin kütle yaklaşımı kullanılarak, potansiyel profili tasarlanan sistemin enerji seviyeleri ve dalga fonksiyonları, Schrödinger dalga denkleminin çözümüyle hesaplanmış ve ilgili yapıların elektronik özellikleri karşılaştırılmıştır. Elde edilen sonuçlara göre; GaAlAs/GaAs yapıların elektronik özelliklerinin değişimi, sistemdeki fiziksel parametrelere GaInAs/GaAs yapısından daha duyarlıdır. Yapı parametrelerine bağlı olarak sistemlerin elektronik yapılarının değişimi, kuyu genişliği, potansiyel yüksekliği ve engel kalınlığının amaca yönelik ayarlanabilir parametreler biçiminde değerlendirilmesine olanak sağlar.