Arşiv logosu
  • English
  • Türkçe
  • Giriş
    Yeni kullanıcı mısınız? Kayıt için tıklayın. Şifrenizi mi unuttunuz?
Arşiv logosu
  • Koleksiyonlar
  • Sistem İçeriği
  • Analiz
  • Talep/Soru
  • English
  • Türkçe
  • Giriş
    Yeni kullanıcı mısınız? Kayıt için tıklayın. Şifrenizi mi unuttunuz?
  1. Ana Sayfa
  2. Yazara Göre Listele

Yazar "Bayat, Fatma Zehra" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 2 / 2
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Metal Kompleks Ara Katmanlı Schottky Diyotun Elektriksel ve Optik Parametrelerin Belirlenmesi
    (Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, 2024) Bayat, Fatma Zehra; Şeker, Mustafa; Doğan, Hülya
    Bu çalışmada Rutenyum(II) metal kompleks p tipi silisyum (Si) üzerine spin kaplayıcı (spin coater) yöntemi ile ara katman olarak biriktirildi. On yedi (17) Al/Ru(II)kompleks/p-Si/Al noktası aynı şartlar altında üretildi ve bunların akım-voltaj (I–V) özellikleri oda sıcaklığında, hem karanlıkta hem de 100mW/cm2 aydınlatma altında alındı. Tüm diyotların doğrultucu davranış sergilediği görüldü. Her noktanın idealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (Φb), doğrultma oranı (RR) ve seri direnci (Rs), termiyonik emisyon (TE) teorisi ve modifiye edilmiş Norde fonksiyonuna göre belirlendi. Karanlıkta, n ve Φb değerleri 17 diyot için sırasıyla 1,238- 2,932 ve 0,643-0,874 eV aralığında bulunmuştur. Ayrıca Al/Ru(II)kompleks/p-Si/Al diyotlarından birisinin (R12 kodlu) oda sıcaklığındaki fotovoltaik ve fotodiyot özelliklerine karanlıkta ve 100 mW/cm2 ışık yoğunluğunda uygulanan farklı ışık şiddetleri altında ve elektriksel karakterizasyon için karanlık ortamda kapasitans-gerilim (C-V) ölçümlerinden Φb, difüzyon potansiyeli (Vd) ve taşıyıcı konsantrasyonu (Na) hesaplanmıştır. Fotovoltaik parametrelerden açık devre voltajı (Voc), kısa devre akımı (Isc), dolum faktörü (FF) ve deneysel verimlilik (η) hesaplandı R12 kodlu diyotun ve sırasıyla 339x10-3 V ve 13,1x10-6A, % 62,9 ve %0,514 olarak bulunmuştur. Fotodiyot parametrelerinden foto duyarlılık ( R) ve spesifik detektivite (D*) değerleri de hesaplanmış ve bu deneysel bulgulardan, Ru(II) metal kompleks ince film tabanlı yapıların optoelektronik cihazların gelişiminde kullanılabileceği söylenebilir.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Organometalik ara katmanlı metal/yarıiletken schottky fotodiyotların elektriksel ve fotoelektriksel karakteristiklerinin deneysel ve optimizasyon teknikleri ile belirlenmesi
    (Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, 2024) Bayat, Fatma Zehra; Doğan, Hülya; Şeker, Mustafa
    Bu tezde Rutenyum(II) metal kompleks p tipi silisyum (Si) üzerine spin kaplayıcı (spin coater) yöntemi ile ara katman olarak biriktirilmiştir. On yedi (17) Al/Ru(II)kompleks/p-Si/Al noktası aynı şartlar altında üretilmiş ve bunların akım- voltaj (I–V) özellikleri oda sıcaklığında hem karanlıkta hem de 100mW/cm2 aydınlatma altında alınmıştır. Tüm diyotların doğrultucu davranış sergilediği görülmüştür. Her noktanın idealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (?b), doğrultma oranı (RR) ve seri direnci (Rs), termiyonik emisyon (TE) teorisi ve modifiye edilmiş Norde fonksiyonuna göre belirlenmiştir. Karanlıkta, n ve ?b değerleri 17 diyot için sırasıyla 1,238- 2,932 ve 0,643-0,874 eV aralığında bulunmuştur. Ayrıca Al/Ru(II)kompleks/p-Si/Al diyotlarından birisinin (R12 kodlu) oda sıcaklığındaki fotovoltaik ve fotodiyot özelliklerine karanlıkta ve 100 mW/cm2 ışık yoğunluğunda uygulanan farklı ışık şiddetleri altında ve elektriksel karakterizasyon için karanlık ortamda kapasitans-gerilim (C-V) ölçümlerinden ?b, difüzyon potansiyeli (Vd) ve taşıyıcı konsantrasyonu (Na) hesaplanmıştır. R12 kodlu diyotun fotovoltaik parametrelerden açık devre voltajı (Voc), kısa devre akımı (Isc), dolum faktörü (FF) ve deneysel verimlilik (?) hesaplanmıştır ve sırasıyla 339x10-3 V ve 13,1x10-6A, %62,9 ve %0,514 olarak bulunmuştur. Fotodiyot parametrelerinden foto duyarlılık (R) ve spesifik detektivite (D*) değerleri de hesaplanmış ve bu deneysel bulgulardan, Ru(II) metal kompleks ince film tabanlı yapıların optoelektronik cihazların gelişiminde kullanılabileceği söylenebilir. Ayrıca akım-voltaj (I–V) karakteristikleri kullanılarak diyotların bariyer yüksekliği, idealite faktörü ve seri direnç değerini belirlemede optimizasyon teknikleri yardımı ile parametre tahmini gerçekleştirilmiştir. Parametre tahmininde Genetik Algoritma (GA), Parçacık Sürü Optimizasyonu (PSO) ve Guguk Kuşu Algoritması ile Gri Kurt Algoritmasının birlikte kullanıldığı GWO-CS algoritmaları kullanılmıştır. Optimizasyon sonuçları Hibrit olarak kullanılan GWO- CS algoritmasın diyot parametrelerini belirlemede daha iyi performansa sahip olduğunu göstermektedir.

| Sivas Cumhuriyet Üniversitesi | Kütüphane | Açık Erişim Politikası | Rehber | OAI-PMH |

Bu site Creative Commons Alıntı-Gayri Ticari-Türetilemez 4.0 Uluslararası Lisansı ile korunmaktadır.


Kütüphane ve Dokümantasyon Daire Başkanlığı, Sivas, TÜRKİYE
İçerikte herhangi bir hata görürseniz lütfen bize bildirin

DSpace 7.6.1, Powered by İdeal DSpace

DSpace yazılımı telif hakkı © 2002-2025 LYRASIS

  • Çerez Ayarları
  • Gizlilik Politikası
  • Son Kullanıcı Sözleşmesi
  • Geri Bildirim