Investigation of The Temperature Dependent Electrical Properties of LT-GaN Layer Grown on A Sapphire Substrate

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.authorAltun, Didem
dc.contributor.authorElagöz, Sezai
dc.date.accessioned2025-05-04T16:25:05Z
dc.date.available2025-05-04T16:25:05Z
dc.date.issued2024
dc.departmentSivas Cumhuriyet Üniversitesi
dc.description.abstractIn this study, the electrical characterization of a low-temperature GaN (LT-GaN) layer within an InGaN/GaN blue light-emitting LED structure grown on a sapphire substrate using the Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method was examined. For high-quality growth of the GaN layer on a sapphire substrate, a two-stage GaN growth process is employed, consisting of a low-temperature GaN (LT-GaN) layer and a high-temperature GaN (HT-GaN) layer. This study specifically investigates the structural and electrical properties of the LT-GaN layer, which is the first stage of the GaN growth process. Structural characterization was performed using high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), while electrical characterization involved Hall effect measurements and current-voltage (I-V) measurements. Based on the results from structural and electrical measurements, the optimal growth temperature for the LT-GaN layer was determined, and the effect of growth temperature on the electrical properties was demonstrated.
dc.description.abstractBu çalışmada, Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) yöntemi kullanılarak safir alttaş üzerine büyütülen InGaN/GaN mavi ışık yayan LED yapısında düşük sıcaklık GaN (LT-GaN) tabakasının elektriksel karakterizasyonu incelenmiştir. Safir alttaş üzerine GaN tabakasının kaliteli büyütülebilmesi için düşük sıcaklık GaN (LT-GaN) tabakası ve yüksek sıcaklık GaN (HT-GaN) tabakası şeklinde iki aşamalı GaN büyütmesi yapılır. Bu çalışmada GaN tabakasının büyütme aşamalarından ilki olan düşük sıcaklıkta GaN (LT-GaN) tabakasının yapısal ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Yapısal karakterizasyon yüksek çözünürlüklü X ışını kırınımı (HRXRD) ile, elektriksel karakterizasyon ise Hall etkisi ölçümü ve akım gerilim ölçümleri ile yapılmıştır. Yapısal ve elektriksel ölçümlerden elde edilen sonuçların değerlendirilmesi ile düşük sıcaklık LT-GaN tabakası için ideal büyütme sıcaklığı belirlenmiş, büyütme sıcaklığının elektriksel özellikler üzerindeki etkisi gösterilmiştir.
dc.identifier.doi10.69560/cujast.1580874
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.69560/cujast.1580874
dc.identifier.endpage101
dc.identifier.issn2980-0110
dc.identifier.issue2
dc.identifier.startpage96
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12418/32691
dc.identifier.volume3
dc.language.isoen
dc.publisherSivas Cumhuriyet Üniversitesi
dc.relation.ispartofSivas Cumhuriyet Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.snmzKA_DergiPark_20250504
dc.subjectGallium Nitride (GaN)
dc.subjectElectrical Characterization
dc.subjectI-V
dc.subjectHall Effect Measurement
dc.titleInvestigation of The Temperature Dependent Electrical Properties of LT-GaN Layer Grown on A Sapphire Substrate
dc.title.alternativeSafir Alttaş Üzerine Büyütülen LT-GaN Tabakasının Sıcaklığa Bağlı Elektriksel Özelliklerinin Araştırılması
dc.typeResearch Article

Dosyalar

Koleksiyon

DergiPark