Yazar "Öztürk, Emine" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 6 / 6
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe Electronic characteristics of asymmetric triple GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs quantum wells depending on Al and In concentration(2020) Öztürk, Ozan; Öztürk, Emine; Elagöz, SezaiHerein, the electronic characteristics of asymmetric triple Ga1-x Alx As/GaAs quantum wells(A model) and Ga1-x Inx As/GaAs quantum wells (B model) have been examined asdependent on Al and In concentration. The energy levels, the wave functions and the findingprobability of electron in quantum well (QW) of these systems under effective mass approachwere concluded by Schrödinger equation solution. According to our results, the maindifferences between models A and B are effective mass and energy gap. For A model,GaAlAs is the barrier and GaAs is the well. Whereas for B model, GaAs is the barrier andGaInAs is the well. Also, the energy levels and the potential height of B model areunceasingly higher than of B model. The concentration ratio has a great impact on theelectronic features of the asymmetric triple quantum well (ATQW). These features have aconvenient attention for the purpose of adjustable semiconductor devices.Öğe Farklı katkılanmış yarı iletken malzemelerin arayüzey potansiyel profillerinin belirlenmesi(Cumhuriyet Üniversitesi, 1994) Öztürk, Emine; Ergün, YükselÖZET Yüksek Lisans Tezi FARKLI «ATKILANMIŞ YARIİLETKEN MALZEMELERİN ARAYÜZEY POTANSİYEL PROFİLLERİNİN BELİRLENMESİ Emine OZTURK Cumhuriyet Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Deli Danışman: Yrd.. Doç. Dr. Yüksel Ergün Bu çalışmada ilk olarak düşük boyutlu sistemlerin temel özellikleri belirtildikten sonra, bulk Si ve GaAs yarıiletkenlerin özellikleri ve bu konuda yapılan çatışmalar özetlenmiştir. Son olarak, self-consistent (kendi-içinde tutarlı) hesap kuralları verilmiş ve iki GaAs tabakası arasında Si tabakası oluşturularak büyütülen £-katkılanmış GaAs yapısında arayüzey potansiyel profili, self-consistent' olarak hesaplanmıştır. ANAHTAR KELİMELER İki-boyutlu elektron gazı, S\-S katkılama GaAs katmanı, arayüzey potansiyel profili, kuantum kuyusu, altband, band eğilmesi, band enerjisi.Öğe Intersub-band Second Order Nonlinear Transitions in Asymmetric Double Delta-Doped GaAs Structures(2018) Öztürk, EmineIn this study, second order harmonic generation (SHG) coefficient in asymmetric double delta doped wells (ADQW) wereinvestigated for a uniform doping distribution model. The electronic propertiesof GaAs structure with ADQW, such as the potential profile, sub-band energylevels, wave functions and charge densities are calculatedby self-consistent the Schrödinger and Poisson equations. According to the parameters used in this study, I have seen that for the doping concentration, SHG peak size in ADQW structure with theintersubband relaxation time gives the same peak magnitude value with for thedoping concentration 5. Also, for the thickness of the donordistribution the peaksize value of SHG with hasapproximately the same behavior with for thedonor distribution thickness . The dependence onthe structural parameters of the nonlinear transitions in the second orderbetween the sub-bands is more important for the potential variations of thephotodetectors and optical modulators. Thesestructures will have an important place in the future research of quantumphoto-electronic devices.Öğe İşletmelerde mali başarısızlık nedenleri ve alınabilecek önlemler(Cumhuriyet Üniversitesi, 2002) Öztürk, Emine; Çonkar, KemalettinÖZET Globalleşen dünya ekonomik yapısı içinde, işletmelerin ve ülke ekonomilerinin ayakta durabilmeleri ve kaynakların etkin kullanımı için, başarılı olmaları zorunludur. Şirketlerin zarar etmesi, başarısız olması ve genel olarak mali başarısızlığa uğramasının nedenleri çok çeşitlidir. Global sistem içinde teknoloji, pazarın yapısı, tüketici davranışları gibi faktörler sürekli değişim ve gelişim içerisindedir. İşletmelerin faaliyetlerini sürdürüp geliştirebilmeleri bu tür değişimleri zamanında algılayabilecek bilgi yönetim sistemine sahip olmalarına ve verileri doğru yorumlayabilmelerine bağlıdır. İşletmelerin yoğun rekabet ve belirsizliklerin hüküm sürdüğü ekonomik yapı içinde ayakta kalabilmeleri, her şeyden önce etkin bir yönetim anlayışına sahip olmayı gerektirir. Etkin bir yönetim sonu iflasa kadar gidebilen bir mali başarısızlık sürecine girilmesine neden olacak işletme içi ve işletme dışı faktörleri önceden tespit ederek, önlemini alabilir. Ancak her şeye rağmen önüne geçilemeyen veya yeterince önceden sezilemeyen olumsuzluklardan dolayı, işletmeler mali başarısızlık sürecine girebilir. Bu durumda, işletmeler izlenmesi gereken stratejiler hakkında bilinçli olmalıdır. İşletmelerin bilinçli bir yaklaşıma sahip olmaları, işletmelerin yaşayacakları olumsuz süreci olumlu hale çevirebilir veya en azından en az zararla çıkış yolu bulunmasını sağlayabilir. Bu çalışmada mali başarısızlık ve nedenleri tanımlanarak çıkış yolları üzerinde durulmaya çalışılmıştır. Bir sorunu çözmedeki en önemli adımın sorunu zamanında sezmek ve nedenleri tespit etmek olduğu bilinci ile erken uyan sistemi olarak mali başarısızlık tahmin modelleri üzerinde durulmuştur.Öğe S-katkılı GaAs yapılarda elektronik yapı(Cumhuriyet Üniversitesi, 2000) Öztürk, Emine; Sökmen, İsmailm ÖZET Doktora Tezi 8-KATKILI GaAs YAPILARDA ELEKTRONİK YAPI Emine ÖZTÜRK Cumhuriyet Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman : Prof. Dr. İsmail SÖKMEN Bu çalışmada, Si £ -katkılı GaAs yapısının potansiyel profilini ve dinamik band yapısını, Schrödinger ve Poisson denklemlerinin self- consistent (kendi-içinde tutarlı) çözümüyle hesapladık. İlk olarak, tek Si 8- katkılı GaAs yapısının katkılama konsantrasyonu, katkılama kalınlığı, sıcaklık ve uygulanan elektrik alana bağlı olarak belirgin bir biçimde değiştiğini gösterdik. İkinci olarak da, çift Si 8 -katkılı GaAs yapısının, katkılı bölgeler arasındaki uzaklık, katkılama konsantrasyonu ve elektrik alanla önemli oranda değiştiğini ortaya koyduk. Ayrıca, elde ettiğimiz sonuçlar hem simetrik hem de asimetrik çift 8 -katkılı yapılardaki altband enerji seviyeleri ve yerleşimlerinin, katkılama kalınlığına duyarsız olduğunu belirtmektedir. ANAHTAR KELİMELER : Tek-çift Si £ -katkılama, GaAs yapısı, self- consistency, potansiyel profili, altband yapısıÖğe The temperature dependence of the electronic structure of Si $\\delta$-doped GaAs(2002) Öztürk, EmineWe investigated theoretically the change of electronic properties of Si $\\delta$-doped GaAs layer as a function of temperature. We studied the influence of temperature on the donor concentration for a nonuniform distribution, which is taken as different from the known Gaussian distribution. In order to obtain the electronic structure we have calculated self-consistent Schrödinger - Poisson equations. We have seen that the change of the electronic properties as dependent on temperature is less pronounced at higher doping concentration.
