Yazar "Demir, İlkay" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 14 / 14
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe Akıllı Ekranlarda Arka Aydınlatma için Yüksek Verimli LED'lerin Tasarım, Üretim ve Karakterizasyonu(2019) Sarı, Hüseyin; Gülseren, Oğuz; Başer, Pınar; Tüzemen, Ebru Şenadım; Demir, İlkay; Altuntaş, İsmail; Eğin, GamzeBu projenin amacı, Elektronik MEMS ve Akıllı Ekranlar Çagrı programı BT502-Ekran Teknolojileri çagrısının 2. maddesinin a ve b bendinde yer alan; a. Düsük güç beyaz LED çip prototipi gelistirilmesi (akım aralıgı 20-60 mA, verimliligi en az 150 lm/W), b. Orta güç beyaz LED çip prototipi gelistirilmesi (akım aralıgı 60-350 mA, verimliligi en az 120 lm/W)] ısık yayan diyot (LED) çip prototiplerini gelistirmektir. Enerji tasarrufu programları çerçevesinde gelismis ülkelerde yürütülen, yüksek verimli ısık saçan diyotlara (LED) dayalı aydınlatma çalısmaları ülkemiz için de önemlidir. Yüksek verimlilikleri, uzun ömürleri ve genis kullanım alanları nedeniyle III-Nitrat (InGaN/AlGaN/GaN, vb.) LED ler yogun ilgi görmektedirler. Istenilen düzeylerde optik güç elde edebilmek için, yüksek iç kuantum verimi (IQE-Internal Quantum Efficiency), ısık çıkarma verimi (LEE-Light Extraction Efficiency) ve dıs kuantum verimliligi (EQE) gereklidir. Bu amaçla, yüksek IQE ve LEE hedefleyen elektronik ve optik tasarımlar gelistirilerek, desenlendirilmis (c-düzlemi) safir alttaslar (PSS-Patterned Saphire Substrate) üzerine MOCVD yöntemi ile LED?i olusturan InGaN/AlGaN/GaN epikristal tabakaları büyütülmüs, foton kaybını engelleyecek ısık çıkarım yöntemleriyle birlikte üretim teknolojisi gelistirilmis LED çip üretimi ve çiplerin elektrik ve optik testleri yapılmıstır. Hedeflenen aygıtların çoklu kuvantum kuyuları içeren elektronik yapıları Schrödinger ve Poisson denklemlerinin birlikte (kuvantum mekaniksel) çözülmesiyle, akım-gerilim özellikleri ise tasınım (transport) denklemlerinin çözülmesiyle elde edilmistir. Bu tip LED? lerde yaygın bir sorun olan sarkmanın (droop) en aza indirilmesi için elektron sogutucu merdiven tipi enjektör yapılar ve elektron engelleri gibi kuvantum kuyulardan elektron kaybını en aza indiren tasarımlar tercih edilmistir. Desenli safir alttaslar, optik yöntemlerle en çok ısık elde edilecek sekilde tasarlanmıs ve Bilkent Üniversitesi Ileri Arastırma Laboratuvarları imkânları ve/veya Ermaksan Optoelektronik altyapısındaki ICP ve/veya RIE kullanılarak lens ve piramid sekillerinde olusturulmustur. Bu alttaslar üzerine CÜNAM?da (Cumhuriyet Üniversitesi Nanofotonik Uygulama ve Arastırma Merkezi) bulunan Aixtron RF 200/4 MOCVD sistemi ile epitaksiyel GaN çekirdeklenme ve takip eden tampon (buffer) tabakalar büyütülmüs ve böylece vida tipi kusur yogunlugu azaltılarak daha sonra büyütülecek tabakalar ile epikristallerin üretimi gerçeklestirilmistir. Büyütmelerde metal organik gazlar için TMGa, TMIn, TMAl ve hidrit kaynak olarak da NH3 kullanılmıstır. Daha sonra bu epikristaller üzerine LEE arttırmak amaçlı ITO vb tabakalar kaplanmıstır. MOCVD büyütmeleri CÜNAM Ar-Ge MOCVD?sinde yapılarak, optimize edilmis büyütme reçeteleri elde edilmistir. Daha sonra bu reçeteler Ermaksan Optoelektronik de kurulan seri üretim Nitrat MOCVD sistemine uyarlanarak, bu sistemde de LED yapıları büyütülmüstür. Ermaksan Optoelektronik?teki seri üretime uygun MOCVD sisteminde bulunan ikinci NH3 hattı CÜNAM da ki Ar-Ge amaçlı MOCVD sistemine göre çok daha hızlı gaz aç-kapa islemine izin verdiginden, istenilen düzeyde kaliteye sahip LED epikristalleri büyütülebilmistir. Bu epikristaller kullanılarak ısık çıkarım yöntemleriyle birlikte üretim teknolojisi gelistirilerek proje isterlerini karsılayacak LED çipler üretilmistir. LED çip paketleme islemi sonrasında yapılan optik ölçümlerde Bilkent ve Ermaksan Optoelektronik altyapıları kullanılmıstır. Bu projede önerilen ve gerçeklestirilen tüm yöntemler çagrı kapsamındaki isterleri saglayacak sekilde seçilmis ve uygulanmıstır. Özellikle bir ArGe MOCVD cihazında gelistirilen reçetelerin Ermaksan A.S. nin öz kaynak ile alınan Türkiye?nin ilk seri LED MOCVD üretim sisteminde üretilmis olması, sadece çagrı konusunun amaç ve hedeflerine uygun olmakla kalmamıs ülkemiz açısından bu konuda önemli bir üretimin gerçeklestirilebilme imkânını da yaratmıstır.Öğe Characterization of SiNx grown at different nitrogen flow and prediction of refractive index using artificial neural networks(Elsevier B.V., 2024) Yüksek, Ahmet Gürkan; Horoz, Sabit; Demir, İlkay; Altuntaş, İsmail; Şenadım Tüzemen, EbruSiNx films were grown on silicon substrates by Radio Frequency (RF) magnetron sputtering deposition. The effect of nitrogen flow on the structural and optical properties of the obtained films was investigated using X-ray diffraction, Scanning Electron Microscopy (SEM), UV–Vis–NIR spectrophotometer and spectroscopic ellipsometer, respectively. XRD spectra of the films showed that all films belong to amorphous structure. SEM photographs of SiNx films were analyzed. As a result of the analysis, it was observed that the surfaces of the films had a homogeneous and smooth structure as the nitrogen flow increased. The total and diffuse reflectance spectra of the films were measured and the energy band gaps of the films were determined using the Kubelka-Munk function by using the diffuse reflectance. It was observed that the energy band gap changed as the nitrogen percentage increased. The refractive index of all films was obtained as a function of temperature using a spectroscopic ellipsometer. In the second part of this study, we focused on predicting the temperature dependent refractive indices of the nitrogen flow-dependent films using Artificial Neural Networks (ANN). For the training of the ANN model, wavelength and temperature values from experimental data were used as input and refractive index as output parameters. The simulation and prediction results obtained from this model are compared with the experimental data and interpreted. It is concluded that the ANN approach is suitable for simulating and predicting the temperature dependent refractive index. The models successfully trained with ANN will be especially preferred for predicting the refractive indices of SiNx films, which cannot be measured experimentally, thus providing predictions in non-experimental ranges. In particular, the results obtained by focusing on the ability of the developed artificial neural network (ANN) models to predict the optical properties of SiNx films and their potential to provide information in non-experimental conditions, offer a new approach to quickly and effectively evaluate the optical properties of SiNx films. This approach reveals the importance of artificial intelligence-based methods in materials characterization studies. © 2024Öğe Effect of substrate temperature on Raman study and optical properties of GeOx/ Si thin films(14.10.2023) Baghdedi, Dhouha; Hopoğlu, Hicret; Demir, İlkay; Altuntaş, İsmail; Abdelmoula, Najmeddine; Şenadım, Tüzemen EbruIn this study, GeOx thin films were deposited onto Si substrates using the RF magnetron sputtering method. We looked at how the temperature of the substrate affected the Raman spectra and optical characteristics of GeOx thin films. X-ray diffraction was utilized to examine the crystal structure, and a scanning electron microscope was utilized to measure the thickness. In order to investigate the local structure and bonding characteristics, Raman spectroscopy was used. The refractive index, extinction coefficient, and dielectric parameters were calculated using spectroscopic ellipsometry for the 300–1100 nm spectral region. Refractive index and extinction coefficient spectral patterns were discovered by using a sample-air optical model to analyze the experimental ellipsometric data. Notably, a considerable rise in the refractive index was accompanied by a rise in substrate temperature.Öğe Experimental insights toward carrier localization in in-rich InGaAs/InP as candidate for SWIR detection: Microstructural analysis combined with optical investigation(15.01.2023) Arbia, Marwa Ben; Demir, İlkay; Kaur, Navpreet; Saidi, Faouzi; Zappa, Dario; Comini, Elisabetta; Altuntaş, İsmail; Maaref, HassenHyperspectral imaging has been flourished thanks to the huge investigation of the infrared spectrum from NIR to LWIR bands. The ternary InGaAs has been investigated herein in the context of studying the structural dependences of localization phenomenon by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy-energy dispersive X-ray (SEM-EDX), Raman, ultraviolet–visible (UV–vis), and photoluminescence (PL) techniques. Using metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE), we succeed to grow the InGaAs directly on InP substrate at 560 ◦C as an active layer with indium concentration exceeding the “golden” value (53%) to enlarge its cutoff absorption wavelength. X-ray diffraction proved a good crystallinity of the heterostructure with a sharp peak related to the thick substrate and another peak attributed to the thin layer of InGaAs. Moreover, an interfacial layer appeared at the logarithmic scale of XRD patterns and was confirmed by Raman analysis. The SEM-EDX revealed an average indium concentration (62%), almost the growth concentration. However, a cross-section compositional profile over the heterostructure showed an inhomogeneous distribution of the indium. This is predictable from the composition fluctuation in the indium-containing alloys and the volatility (surface segregation) of As (In). On the other side, the optical investigation of InGaAs demonstrated an anomalous behavior of luminescence versus temperature, manifested by the S-shape feature. This trend stems from the potential fluctuation induced by the non-uniform distribution of indium. A numerical simulation was developed based on the localized state ensemble (LSE) model to well-reproduce this anomaly by giving the best fitting parameters and comparing them with those calculated using the semi-empirical models (Vi˜na and P¨assler). The results reported here will help in optimizing the epitaxy design of future InGaAs/InP and further studying its surface morphology and device performance.Öğe Growth Temperature Dependency of High Al Content AlGaN Epilayers on AlN/Al2O3 Templates(2018) Demir, İlkayIn this work, MOVPE (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy) growth and characterization studies of high Al content AlGaN epilayers are reported. We utilize high resolution X-ray diffraction (HRXRD) and atomic force microscope (AFM) techniques to analyze the crystalline quality and surface morphology of AlGaN epilayers. The role of the growth temperature of AlGaN epilayers on the structural quality and the surface morphology was investigated. Growth and measurement results show that single phase AlGaN epilayers were grown on AlN/Al2O3 template. It is concluded that the increasing growth temperature increases the Al content of AlGaN epilayers which enable to control the alloy concentration of AlGaN. Furthermore, the increasing Al content in AlGaN epilayers leads to the smooth surface which indicates that the decreasing number of dislocation density.Öğe Influence of Highly Efficient Carbon Doping on AlxGa1? xAs Layers with Different Al Compositions (x) Grown by MOVPE(27.06.2023) Pertikel, İzel; Kekül, Reyhan; Altuntaş, İsmail; Gür, Emre; Demir, İlkayCarbon (C)-doped aluminum gallium arsenide ( AlxGa1−xAs) epitaxial layers with different aluminum (Al) concentrations have been grown on gallium arsenide (GaAs) substrates by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) technique. The impact of varying carbon tetrabromide ( CBr4) flow rates on the electrical properties of AlxGa1− xAs materials with different Al compositions has been investigated. High-resolution x-ray diffraction (HRXRD) measurement and a Hall effect measurement system have been used to determine the Al compositions and to evaluate the electrical properties. It has been found that the carrier density increases and the mobility decreases by increasing the flow rate of CBr4 and changing Al compositions up to a certain point. In contrast, at higher Al compositions, a decrease in carrier density and an increase in mobility have been observed with increasing CBr4 flow rate. Since these observed trends require to be analyzed in more detail, x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) has been used to analyze the elements in the structure. From the XPS results, it has been shown that the atomic concentration of the arsenic in the structure decreased with the increase in CBr4 flow rates. In addition, it has been shown that the Al composition in the AlxGa1− xAs material obtained from the XRD results increases with the increase in the atomic concentration of the arsenic. Accordingly, a linear increase in carrier concentration is shown with increasing Al composition. This increase is explained by the effect of the Al–C bond content on the electrical properties of AlxGa1− xAs.Öğe Influence of the PALE growth temperature on quality of MOVPE grown AlN/Si (111)(02.02.2021) Altuntas, İsmail; Koçak, Merve Nur; Yolcu, Gamze; Budak, Hasan Feyzi; Kasapoğlu, A. Emre; Horoz, Sabit; Gür, Emre; Demir, İlkayat different growth temperatures by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) technique. The oxygen (O) and silicon (Si) concentrations of grown PALE-AlN epilayers and interface between epilayer and substrate were investigated by secondary ion mass spectroscopy (SIMS). It was observed that O and Si concentration change with growth temperature of epilayers as well as the interface significantly. HRXRD (high-resolution x-ray diffraction) analyses showed that the highest growth temperature results with the lowest full width at half maximum (FWHM) value for both ɷ scans. Scanning electron microscope (SEM) and atomic force microscopy (AFM) analyses indicated that relatively low growth temperature grown samples gave rise to 2D-like growth mode with openings while increased growth temperature resulted in change the growth mode to a columnar mode with increasing V-shape pits because of the increasing diffusion coefficient of O impurities and Si atoms in AlN epilayers.Öğe InxGa1-xAs/InyAl1-yAs tabanlı kuantum çağlayan lazer yapılarının büyütülmesi ve karakterizasyonu(Cumhuriyet Üniversitesi, 2017) Demir, İlkay; Elagöz, SezaiBu çalışmada Metal Organik Kimyasal Buhar Depolama (MOCVD) tekniği kullanılarak InxGa1-xAs/InyAl1-yAs tabanlı kuantum çağlayan lazer yapıları epitaksiyel olarak büyütmüş ve detaylı karakterizasyonları yapılmıştır. Yapılan çalışmalarda InP alttaşa örgü uyumlu ve örgü uyumsuz-gerilme dengeli olarak tek tabaka InxGa1-xAs ve InyAl1-yAs üçlü alaşımları optimize edilerek büyütülmüştür. Optimizasyon aşamasında sıcaklık, V/III oranı, büyüme oranı vb. birçok büyütme parametresi göz önüne alınmıştır. Daha sonra, tüm tek tabakalar n-tipi katkılanarak maksimum mobilite elde edilecek şekilde büyütülmüştür. Tek tabaka büyütme ve optimizasyonundan sonra tabakaların süperörgü yapıları içindeki kalınlık ve büyüme oranı yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı (HRXRD) ölçümleri ile geliştirilen teknik yardımıyla çok hassas bir biçimde belirlenmiştir. Ayrıca kuantum çağlayan lazer yapısının aktif bölgesi büyütülürken tabakalar arası geçişte bekleme süresinin etkileri detaylı bir şekilde incelenmiştir. Sonuç olarak örgü uyumsuz ve gerilme dengeli yapılar ile kısa (?4µm) kızılötesi bölgede, örgü uyumlu yapılar ile de orta kızılötesi (?10µm) bölgede ışınım yapacak kuantum çağlayan lazer yapıları MOCVD tekniği ile başarılı bir şekilde büyütülmüştür.Öğe Modeling of temperature?dependent photoluminescence of GaN epilayer by artificial neural network(22.06.2023) ŞenadımTüzemen, Ebru; Yüksek, Ahmet Gürkan; Demir, İlkay; Horoz, Sabit; Altuntaş, İsmailArtificial neural networks (ANNs) are a type of machine learning model that are designed to mimic the structure and function of biological neurons. They are particularly well-suited for tasks such as image and speech recognition, natural language processing, and prediction tasks. The success of an ANN in modeling a particular dataset depends on factors such as the size and quality of the dataset, the complexity of the model, and the choice of training algorithms. High representation rate of a system in the data set can improve the performance of the ANN model. The study we described is focused on using artificial neural networks (ANNs) to model temperature-dependent photoluminescence (PL) characterization of GaN epilayers grown on patterned sapphire substrates (PSS) using the metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) technique. The ANN model is trained using temperature and wavelength as input parameters and intensity as the output parameter, with the goal of accurately predicting the PL intensity of the GaN epilayer as a function of temperature and wavelength. The model is trained using a large set of experimental data and then tested using data that was not presented to the model during training. The results of the study suggest that ANN modeling methodology is an effective and accurate way of modeling temperaturedependent PL of GaN epilayers grown on PSS. The results of the study suggest that ANN modeling methodology can be used to accurately predict the temperature-dependent PL of GaN epilayers grown on PSS. This means that it may be possible to reduce the number of required experimental measurements by using the ANN model to predict PL intensity at different temperatures, based on a smaller set of experimental measurements. This could potentially save time and resources, while still obtaining accurate information about the optical behavior of GaN-based materials at different temperatures.Öğe Nucleation layer temperature effect on AlN epitaxial layers grown by metalorganic vapour phase epitaxy(20.11.2021) Şimşek, İrem; Yolcu, Gamze; Koçak, Merve Nur; Pürlü, Kağan; Altuntas, İsmail; Demir, İlkayAlN samples have been grown on sapphire substrate using nucleation layers (NLs) having different growth temperatures. The growth temperature of the NL has been varied over a wide range of temperatures highlight the effects on the quality of the AlN epilayer. The AlN samples have been characterized by highresolution X-ray diffraction (HRXRD), atomic force microscope (AFM), Raman scattering spectrometer, and spectrophotometer. The obtained results demonstrate the temperature of NL has a direct effect on the quality of the AlN sample and occurs major differences in the quality of structure, surface morphology, and amount of strain in the AlN epilayers. Based on HRXRD measurement results, when the growth temperature of AlN NL is raised to 1075 C, the crystal quality has improved owing to both the density of AlN nucleation islands reduction and the grain size outgrow. However, continuing to increase the growth temperature of the AlN NL layer begins to degrade the quality. In addition, the findings obtained from the Raman measurement demonstrates that the tensile stress can be control through NL growth temperature. Therefore, as can be seen from the characterization results, the growth temperature of AlN NL is important to obtain an AlN sample with high quality.Öğe Safir alttaşı üzerine büyütülen GaN epitaksiyel tek kristal ince filmlerin xrd yöntemi ile incelenmesi(Cumhuriyet Üniversitesi, 2011) Demir, İlkay; Elagöz, SezaiBu çalışmada, üniversitemiz bünyesinde bulunan Nanoteknoloji Laboratuvarındaki Rigaku SmartLab x-ışını kırınımı cihazı ile safir alttaşı üzerine büyütülen GaN epitaksiyel tek kristal ince filmlerin kristal yapıları analiz edilmiştir. Ayrıca mozaik kristal yapıdaki numunenin dislokasyon yoğunlukları, dikey ve tutarlı uzunlukları, eğilme ve bükülme açıları gibi özellikleri ortaya çıkarılmıştır.Öğe Yüksek Güç-Frekans Uygulamaları Için MOCVD ile Epitaksiyel AlN Kristalinin Büyütülmesi, Katkılanması, Karakterizasyonu ve Aygıt Üretimi(15.03.2021) Demir, İlkayBu projede yüksek güç-frekans uygulamaları için MOCVD (metal organik kimyasal buhar depolama) ile epitaksiyel AlN kristalinin büyütülmesi, katkılanması, karakterizasyonu ve aygıt üretimi yapılarak diyot karakteristiklerinin incelenmesi hedeflenmektedir. III-N tabanlı yarıiletken aygıtlar özellikle yüksek kaliteli GaN materyalinin üretiminden sonra aydınlatma alanında son 20 yılda inanılmaz başarı göstermişlerdir. Bu başarı sadece bilimsel bir kazanım olarak kalmayarak hem enerji verimliliği hem de çevre sağlığı açısından oldukça ciddi katkılar yapmaktadır. Yapılan araştırmaya göre sadece 2017 yılında LED lambaların kullanımı ile dünya genelinde karbon salınımı 570 milyon ton azalmıştır [1]. GaN’ın üstün özelliklerinden dolayı aydınlatma alanında katettiği ivme ile son yıllarda elektronik aygıt alanında vazgeçilemez adaylardan birisi olmuştur. Fosil yakıtlar çevreye geri dönüşü olmayan zararlar vermekte olup yakın gelecekte bu yakıtların tükeneceği kabul edilmektedir. Günümüzde elektrikli-hibrit araçların kullanımı artmakta olup, bu araçların ve yenilenebilir enerji sistemlerinin daha verimli çalışabilmesi için düşük kayıplı yüksek güç-frekans tabanlı diyotlara olan ihtiyaç her gün artmaktadır. Bu alanlarda silikon tabanlı aygıtların performansı ve gelişimi her geçen gün artmasına rağmen materyalin kendisinden kaynaklı bir takım kısıtlamalar bulunmaktadır. Bu kısıtlamaları üstün özellikleri ile aşan adaylardan en güçlüsü yine GaN olmuştur. Fakat ucuz ve geniş boyutlu GaN alttaş eksikliği, çalışmaları bu iki malzemenin entegrasyonuna yönelterek şimdiye kadar oldukça yüksek performans sağlanmış ve performans açısından GaN/Si çalışmaları yavaş yavaş doyuma ulaşmaya başlamıştır. Artan enerji ihtiyacı ve güç tüketimi GaN’a kıyasla yüksek band aralığı, yüksek kırılma gerilimi ve yüksek termal iletkenliğe sahip AlN malzemesini son 5 yılda ön plana çıkarmaktadır. GaN ve AlN’ın yüksek güç-frekans aygıtlarının uygunluğunu değerlendiren Baliga yararlılık katsayısı (figure of merit) karşılaştırıldığında AlN’ın katsayısı 10 kat daha yüksektir [2] ki bu katsayı farkı yeni nesil güç aygıtları için inanılmaz avantaj sağlamaktadır. Henüz 2012 yılında başlayan AlN yüksek güç-frekans diyot çalışmaları gelecek vaad etmesine rağmen katkılamanın zorluğu, doğal alttaş eksikliği gibi sorunlar nedeniyle çok yavaş ilerlemektedir. Bu proje kapsamında yukarıda bahsedilen ve literatür özetinde detaylandırılan uygulamalar için literatürde ilk defa kullanılacak bir çok teknik ile AlN diyot üretimi yapılacaktır. Bu amaçla • Literatürde daha önce AlN katkılaması için kullanılmamış PALE (pulsed atomic layer epitaxy) tekniği yardımıyla deneysel olarak AlN’ın n tipi katkılanması çalışılacaktır. • Safir alttaş ve literatürde ilk defa silikon alttaş üzerine AlN diyot yapısı büyütülerek bu ürünün ticarileşmesine katkı sağlanacaktır. • AlN diyot yapılarının performansını arttırmak için uluslararası işbirliğiyle literatürde ilk defa hem desensiz hem de desenli silikon ve safir alttaşlar üzerine büyütmeler yapılacaktır. MOCVD ile büyütülen tüm tabakaların kalitesi CÜNAM bünyesinde kurulu bulunan karakterizasyon cihazları ile test edilecek ve aygıt fabrikasyonu için hazırlanacaktır. Teknolojik olarak oldukça önemli olan yüksek güç-frekans aygıtları alanında birçok özgün tekniğin literatürde ilk defa uygulanıp geliştirilmesiyle ülkemize bu teknolojinin kazandırılması sağlanacaktır. Bu sayede hem ülkemizde yüksek katma değeri olan ürün üretilmiş olacak hem de geleceğin ve günümüzün en önemli konusu olan enerji alanında dışa bağımlılığın azaltılmasında büyük bir adım atılmış olacaktır. Proje yürütücüsü doktora çalışmaları sırasında konusunda dünyaca saygınlığa sahip olan Prof. Dr. Manijeh Razeghi (Center for Quantum Devices-Northwestern University) danışmanlığında çalışma fırsatı bulmuştur. Çalışmaları sırasında kazandığı tecrübe ile doktorası bittikten hemen sonra hazırladığı proje TÜBİTAK tarafından desteklenmiştir. Ayrıca proje ekibi 1003, 1007, SANTEZ ve ASELSAN destekli birçok yüksek bütçeli proje yürütmüş-yürütüyor olması bakımından proje yürütülmesi konusunda oldukça deneyimlidir. Proje süresince (36 ay) ortak çalışmalar yapacak iki lisans, iki yüksek lisans ve bir doktora öğrencisi ile çalışılacak ve bu öğrencilerin proje kapsamında geliştirilecek ulusal ve uluslararası işbirlikleri kapsamında yeni laboratuvarlarda çalışmasının önü açılacaktır.Öğe Yüksek Güç-Frekans Uygulamaları Için Mocvd Ile Epitaksiyel AlN Kristalinin Büyütülmesi, Katkılanması, Karakterizasyonu Ve Aygıt Üretimi(2021) Demir, İlkay; Şenadım Tüzemen, Ebru; Başer, Pınar; Altuntaş, İsmail....Öğe ZnO/Al2O3 layered structures deposited by RF magnetron sputtering on glass: growth characteristics, optical properties, and microstructural analysis(12.08.2021) Şenadım Tüzemen, Ebru; Özer, Ali; Altuntas, İsmail; Demir, İlkay; Şimşir, MehmetIn this study, Al2O3 thin films of different thicknesses (50 nm, 100 nm, 150 nm, 200 nm, and 250 nm) were, first, grown using RF magnetron sputtering technique on glass substrate at 30 °C temperature, with 120Wpower value. Then 250 nm ZnO was grown on these thin films. Microstructural analyses of the thin films were made by scanning electron microscope (SEM). It was observed that the particle size changed with increasing thickness of Al2O3 thin films. ZnO layer was grown onto alumina grown tubes with an approximate thickness of 250 nm. The grain morphology of ZnO was similar to alumina, about 25–30 nm grain size. Energy-dispersive X-ray analysis (EDX) detector was used to determine the chemical composition of the samples. These results have indicated that ZnO thin films are successfully formed on alumina tubes. Crystal structure analyses of all samples were examined using the X-ray diffraction (XRD) technique. In addition, the optical properties of the samples were examined with ultraviolet-visible-near infrared spectrometer (UV-VIS-NIR). This work provides valuable references for the application of Al2O3 as insulating buffer layers.
