Safir alttaşı üzerine büyütülen GaN epitaksiyel tek kristal ince filmlerin xrd yöntemi ile incelenmesi

Bu çalışmada, üniversitemiz bünyesinde bulunan Nanoteknoloji Laboratuvarındaki Rigaku SmartLab x-ışını kırınımı cihazı ile safir alttaşı üzerine büyütülen GaN epitaksiyel tek kristal ince filmlerin kristal yapıları analiz edilmiştir. Ayrıca mozaik kristal yapıdaki numunenin dislokasyon yoğunlukları, dikey ve tutarlı uzunlukları, eğilme ve bükülme açıları gibi özellikleri ortaya çıkarılmıştır.

In this work, we have investigated epitaxial single crystal GaN thin films grown on sapphire substrate by Rigaku SmartLab x-ray diffraction facility that is founded in Nanotechnology Laboratory in our university . In addition we have determined the density of dislocations, vertical and lateral coherence lengths, tilt and twist angles of the sample which has a mosaic crystal structure.