Yazar "Elagöz, Sezai" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 10 / 10
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe A Study on the Growth Conditions Role in Defining InGaAs Epitaxial Layer Quality(2024) Demir, Meryem; Elagöz, SezaiThis study delves into the epitaxial growth and characterization of InxGa1-xAs layers on InP substrate, a critical area in the development of high-performance III-V semiconductor devices. InxGa1-xAs is renowned for its superior electron mobility and broad spectral response, making it indispensable in applications ranging from photodetectors to quantum cascade lasers. Employing a horizontal flow reactor MOVPE (metal-organic vapor phase epitaxy) technique, we meticulously grew n-InxGa1-xAs epilayers under varying conditions to investigate the impact of indium content, growth temperature, and V/III ratio on the material's structural, optical, and electrical properties. HRXRD (High-resolution X-ray diffraction) and Hall-effect measurements provided insights into the correlation between growth parameters and epitaxial layer quality, including dislocation density and carrier mobility. Our findings highlight the delicate balance required in the growth process to optimize the InxGa1-xAs /InP structure's performance for advanced semiconductor applications. The research underscores the potential of tailored InxGa1-xAs layers to push the boundaries of current photonics and optoelectronics technologies, emphasizing the importance of growth condition optimization for enhancing device efficiency and thermal stability.Öğe Cumhuriyet Üniversitesi Ar-Ge Strateji Belgesi (Optik, Elektro Optik ve Fotonik Teknolojileri)(2017) Başer, Pınar; Tüzemen, Ebru Şenadım; Yeşilgül, Ünal; Elagöz, Sezai; Ungan, Fatih; Köksal, Murat; Sarı, HüseyinTübitak 1000 programı tarafından desteklenen bu projenin amacı, Cumhuriyet Üniversitesi Nanofotonik Uygulama ve Araştırma Merkezinde faaliyette olan Aixtron RF200 MOCVD sistemini kullanarak III. Nesil Tandem Fotovaltaik hücrelerinin kuramsal tasarımı, büyütülmesi, fabrikasyonu ve geliştirilecek olan güneş yoğunlaştırıcı sistem ile entegrasyonunu içeren teknik proje sonucunda yüksek verimli fotovaltaik hücrelerini tamamen milli olarak üretmek için yol-harita?sını ve Ar-Ge strateji belgesini oluşturmaktır. Oluşturulacak olan strateji belgesi kapsamında yapılacak olan çalışmalar ile Ülkemiz nitelikli personel altyapısının güçlendirilmesi ve mevcut merkezlerimizin eksik altyapılarının tamamlanarak ulusal ve Uluslararası iş birliği yapabilecek ve destek verebilecek düzeye getirilmesi planlanmaktadır.Öğe Düşük boyutlu yarı iletken sistemlerin elektronik özellikleri(1998) Sökmen, İsmail; Ergün, Yüksel; Sarı, Hüseyin; Elagöz, SezaiGaAs- GaAlAs Kuantum kuyularında elektronik ve optik özellikler elektrik ve manyetik alan altında sistemin simetrisine bağlı olarak incelenmiştir. Elde edilen sonuçlara göre heteroyapı kullanılarak oluşturulan devre elemanlarında sistemin simetrisi ve alan doğrultusu değiştirilerek, elektronik ve optik özelliklerin amaca yönelik olarak ayarlanabileceği görülmüştür. Bu özellik uygulama alanında yeni devre elemanlarının tasarlanmasında önemli bir etken oluşturmaktadır.Öğe Electronic characteristics of asymmetric triple GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs quantum wells depending on Al and In concentration(2020) Öztürk, Ozan; Öztürk, Emine; Elagöz, SezaiHerein, the electronic characteristics of asymmetric triple Ga1-x Alx As/GaAs quantum wells(A model) and Ga1-x Inx As/GaAs quantum wells (B model) have been examined asdependent on Al and In concentration. The energy levels, the wave functions and the findingprobability of electron in quantum well (QW) of these systems under effective mass approachwere concluded by Schrödinger equation solution. According to our results, the maindifferences between models A and B are effective mass and energy gap. For A model,GaAlAs is the barrier and GaAs is the well. Whereas for B model, GaAs is the barrier andGaInAs is the well. Also, the energy levels and the potential height of B model areunceasingly higher than of B model. The concentration ratio has a great impact on theelectronic features of the asymmetric triple quantum well (ATQW). These features have aconvenient attention for the purpose of adjustable semiconductor devices.Öğe Investigation of The Temperature Dependent Electrical Properties of LT-GaN Layer Grown on A Sapphire Substrate(Sivas Cumhuriyet Üniversitesi, 2024) Altun, Didem; Elagöz, SezaiIn this study, the electrical characterization of a low-temperature GaN (LT-GaN) layer within an InGaN/GaN blue light-emitting LED structure grown on a sapphire substrate using the Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method was examined. For high-quality growth of the GaN layer on a sapphire substrate, a two-stage GaN growth process is employed, consisting of a low-temperature GaN (LT-GaN) layer and a high-temperature GaN (HT-GaN) layer. This study specifically investigates the structural and electrical properties of the LT-GaN layer, which is the first stage of the GaN growth process. Structural characterization was performed using high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), while electrical characterization involved Hall effect measurements and current-voltage (I-V) measurements. Based on the results from structural and electrical measurements, the optimal growth temperature for the LT-GaN layer was determined, and the effect of growth temperature on the electrical properties was demonstrated.Öğe Lii-tabanlı malzemelerin mocvd ile yetiştirilmesi ve yapısal karekterizasyonu(2012) Elagöz, Sezai; Sökmen, İsmail; Çelik, İsmail; Karkı, A. D.[Abstract Not Available]Öğe Optik-pompalamalı seyreltik azotlu yarıiletken lazer(2013) Sarı, Hüseyin; Şakiroğlu, Serpil; Kasapoğlu, Esin; Sökmen, İsmail; Elagöz, Sezai; Tanatar, Bilal[Abstract Not Available]Öğe Polygonum cognatum Meissn. Ve Funguslu Ortamda Sentezlenen Gümüş Nanopartiküllerinin (AgNP) Antimikrobiyal Özelliklerinin Araştırılması(2020) Gürsoy, Nevcihan; Elagöz, Sezai; Gölge, EvrenBu çalışmada, Madımak (Polygonum cognatum Meissn.) ve A. alternata ve üzerinde sentezlenen gümüşnanopartiküllerinin (AgNP) antimikrobiyal etkileri araştırılmıştır. Antimikrobiyal etkinin araştırılmasında patojenbakteri suşlarından gıdalarda yaygın olarak bulunan ve tüketimleri sonucunda ciddi sağlık sorunlarına nedenolan Staphyloccus auerus, Enterecoccus fecalis, ve Escherichia coli bakteri türleri ile Aspergillus niger,Penicillium chrysogenum ve Fusarium oxysporium fungus türleri kullanılmıştır. Sentezlenen AgNP’lerinkarakterizasyonunda UV-Vis Spektrofotometri Atomik Güç Mikroskobu (AFM) ve Yüksek Kontrastlı TaramalıElektron Mikroskobu (CCTEM) kullanılmıştır. Antimikrobiyal etkinliğin belirlenmesi amacıyla uygulanan KirbyBauer Disk Difüzyon testi verilerinin istatistiki değerlendirmelerinde veriler ortalama ± standart hata olarakifade edilmiş ve SPSS Ver. 22 yazılım programı kullanılarak analiz edilmiştir. Madımak ve A. alternata üzerindesentezlenen AgNP’leri sadece F. oxysporum’da antifungal etki göstermemiştir. Bununla birlikte diğer fungustürleri üzerinde yüksek bir antifungal etkiye sahip olduğu ancak bu etkinin antifungal ajan Amphotericin B’yegöre bir üstünlüğünü olmadığı saptanmıştır. Her iki sentez sonucunda elde edilen AgNP’lerin çalışılan tümbakteri türlerinde antibakteriyel etkiye sahip olduğu belirlenmiştir. Ancak A. alternata üzerinde sentezlenenAgNP’lerinin S. aureus üzerinde hem Madımak üzerinde sentezlenen AgNP’lerden hem de Ampicilinantibakteriyel ajanından daha güçlü bir antibakteriyel etkinliği olduğu tespit edilmiştir (p<0.05).Öğe The GaN Epilayer Grown by MOVPE: Effect of The Different Nucleation Layer Temperatures(2021) Altuntas, İsmail; Elagöz, SezaiEffect of different nucleation layer temperatures (LT-GaN growth temperature) on the properties of the subsequent GaN epilayer grown by MOVPE is investigated. In-situ reflectance curves demonstrate that higher LT-GaN growth temperatures cause fast coalescence (shorter transition time) of GaN nucleation islands. Both photoluminescence (PL) and high-resolution x-ray diffraction (HRXRD) are used to demonstrate the influence of LT-GaN growth temperature on optical and structural properties of subsequent GaN epilayer, respectively. It is observed that the change of LT-GaN growth temperature has an effect on both full-width at half-maximum (FWHM) values obtained from the results of HRXRD measurement and yellow luminescence peak intensity. It is seen that the yellow luminescence peak intensities for samples alter with LT-GaN growth temperature.Öğe Yüksek verimli ardışık gaxin1-xp/gaxin1-xas güneş pillerinin üretimi ve alttaş etkisinin araştırılması(2014) Karkı, Hamdi Doğan; Turan, Reşit; Elagöz, Sezai; Bulut, Barış; Kaya, Gülüz; Yalçınkaya, Mustafa; Altıntaş, İsmail[Abstract Not Available]
