S-katkılı GaAs yapılarda elektronik yapı
| dc.contributor.advisor | Sökmen, İsmail | |
| dc.contributor.author | Öztürk, Emine | |
| dc.date.accessioned | 2024-10-19T19:22:47Z | |
| dc.date.available | 2024-10-19T19:22:47Z | |
| dc.date.issued | 2000 | |
| dc.department | Enstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı | en_US |
| dc.description | Bu tezin, veri tabanı üzerinden yayınlanma izni bulunmamaktadır. Yayınlanma izni olmayan tezlerin basılı kopyalarına Üniversite kütüphaneniz aracılığıyla (TÜBESS üzerinden) erişebilirsiniz. | en_US |
| dc.description | Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı | en_US |
| dc.description.abstract | m ÖZET Doktora Tezi 8-KATKILI GaAs YAPILARDA ELEKTRONİK YAPI Emine ÖZTÜRK Cumhuriyet Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman : Prof. Dr. İsmail SÖKMEN Bu çalışmada, Si £ -katkılı GaAs yapısının potansiyel profilini ve dinamik band yapısını, Schrödinger ve Poisson denklemlerinin self- consistent (kendi-içinde tutarlı) çözümüyle hesapladık. İlk olarak, tek Si 8- katkılı GaAs yapısının katkılama konsantrasyonu, katkılama kalınlığı, sıcaklık ve uygulanan elektrik alana bağlı olarak belirgin bir biçimde değiştiğini gösterdik. İkinci olarak da, çift Si 8 -katkılı GaAs yapısının, katkılı bölgeler arasındaki uzaklık, katkılama konsantrasyonu ve elektrik alanla önemli oranda değiştiğini ortaya koyduk. Ayrıca, elde ettiğimiz sonuçlar hem simetrik hem de asimetrik çift 8 -katkılı yapılardaki altband enerji seviyeleri ve yerleşimlerinin, katkılama kalınlığına duyarsız olduğunu belirtmektedir. ANAHTAR KELİMELER : Tek-çift Si £ -katkılama, GaAs yapısı, self- consistency, potansiyel profili, altband yapısı | en_US |
| dc.description.abstract | IV SUMMARY PhD. Thesis ELECTRONIC STRUCTURE OF 8-DOPED GaAs Emine ÖZTÜRK Cumhuriyet University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor : Dr. Ismail SÖKMEN In this study, we have calculated the potential profile and the dynamic band structure of Si S -doped GaAs structure by solving the Schrödinger and the Poisson equations self-consistently. Firsty, we show that single Si S -doped GaAs structure exhibites dramatic changes with the doping concentration, the doping thickness, temperature, and the applied electric field. Secondly, we demonstrate that double Si S -doped GaAs structure displays significant changes with the separation between the doped layers, the doping concentration, and the electric field. Furthermore, the results we obtained reveal that the subband energy levels and the subband occupations in both symmetric and asymmetric double S -doped structures are not sensitive to the doping thickness. KEY WORDS : Single-double Si S -doping, GaAs structure, self- cosistency, potential profile, subband structure | en_US |
| dc.identifier.endpage | 123 | en_US |
| dc.identifier.startpage | 1 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12418/16374 | |
| dc.identifier.yoktezid | 98105 | en_US |
| dc.language.iso | tr | en_US |
| dc.publisher | Cumhuriyet Üniversitesi | en_US |
| dc.relation.publicationcategory | Tez | en_US |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en_US |
| dc.snmz | YK_20241019 | en_US |
| dc.subject | Fizik ve Fizik Mühendisliği | en_US |
| dc.subject | Physics and Physics Engineering | en_US |
| dc.title | S-katkılı GaAs yapılarda elektronik yapı | en_US |
| dc.title.alternative | Electronic structure of S-doped GaAs | en_US |
| dc.type | Doctoral Thesis | en_US |
