P-tipi delta katkılı GaAs yapıların elektronik özellikleri

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorÖztürk, Emine
dc.contributor.authorBahar, Mustafa Kemal
dc.date.accessioned2024-10-19T19:22:47Z
dc.date.available2024-10-19T19:22:47Z
dc.date.issued2007
dc.departmentEnstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalıen_US
dc.descriptionFen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu çalısmada, katkılama konsantrasyonu ve katkılama kalınlıklarına baglıolarak p-tipi d -katkılı GaAs yapısının potansiyel profilini, yük yogunlugunu,Fermi enerjisini, altband enerji ve altband yerlesimlerini Schrödinger ve Poissondenklemlerinin self-consistent (öz-uyumlu) çözümüyle hesapladık. Elde ettigimizsonuçlara göre, agır hollerin altbandlara yerlesimleri, tüm tasıyıcıların yaklasıkolarak %91'ini içerir ve agır hollerin dolu durum sayısı, hafif hollere kıyasla dahafazladır. Agır hol için bulunan altband enerjileri ve yerlesimleri, katkılamakonsantrasyonu ve katkılama kalınlıgına baglı olarak belirgin bir sekildedegismektedir. Oysa; hafif holler için elde edilen altband enerjisi, katkılamakonsantrasyonuna göre degisirken, altband yerlesimi katkı konsantrasyonuna vekalınlıgına karsı duyarsızdır.ANAHTAR KELİMELER: P-tipi d -katkılama, GaAs yapısı, self-consistent,potansiyel profili, altband yapısı.en_US
dc.description.abstractIn this study, we have calculated the potential profile, the charge density,the Fermi energy, the subband energies and populations as dependent on thedoping concentration and the doping thickness by solving the Schrödinger and thePoisson equations self-consistently. The results we obtained show that the heavyholesubbands contain many more energy occupied states than the light-hole ones,the population of the heavy-hole levels represent approximately 91% of all thecarriers. The subband energies and populations obtained for the heavy-holechange significantly as depend on the doping concentration and thickness.Whereas; while for light-holes the subband energy change with the acceptorconcentration, the subband occupation for the light-hole is not sensitive to thedoping concentration and thickness.KEY WORDS: P-type d -doping, GaAs structure, self-consistent, potentialprofile, subband structure, light hole.en_US
dc.identifier.endpage59en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=-Z0vbSUgrhM9fXoGkRe6Q5UrXHN7BsnEn6v7_BDx6rqJSlai0ILf2thyWsYdpZtz
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12418/16364
dc.identifier.yoktezid222217en_US
dc.language.isotren_US
dc.publisherCumhuriyet Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.snmzYK_20241019en_US
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğien_US
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleP-tipi delta katkılı GaAs yapıların elektronik özelliklerien_US
dc.title.alternativeElectronic properties of P-type delta-doped GaAs structureen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu