Örgü uyumsuz (x?0.53, y?0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapılarının movpe ile büyütülmesi ve optik karakterizasyonu

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorDemir, İlkay
dc.contributor.advisorErgün, Yüksel
dc.contributor.authorPerkitel, İzel
dc.date.accessioned2024-10-19T19:27:10Z
dc.date.available2024-10-19T19:27:10Z
dc.date.issued2022
dc.departmentEnstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalıen_US
dc.descriptionFen Bilimleri Enstitüsü, Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu tez çalışması kapsamında, Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Nanofotonik Uygulama ve Araştırma Merkezi'ndeki Metal Organik Buhar Faz Epitaksi (MOVPE) sistemi ile InP alttaş üzerine örgü uyumsuz (x?0.53, y?0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapıları büyütülmüş ve karakterizasyonları yapılmıştır. Örgü uyumsuz InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapılarında yer alan Si-katkılı ve katkısız tabakalar arası geçiş sürelerinde optimum değerleri elde edebilmek için farklı kombinasyonlar oluşturularak incelenmiştir. Büyütme sonrasında örneklerin kristal kalitesi ve kalınlık hassasiyeti X-ışını kırınımı (XRD) ile analiz edilmiştir. Ayrıca büyütülen numunelerin kalınlık hassasiyetlerini daha detaylı incelemek için Global Fit simülasyon programından iki farklı hesaplama yöntemi kullanılmıştır. Örneklerin optik karakterizasyonunu ve optik bantlar arası geçişlerini hesaplamak için 10 K- 300 K sıcaklık aralığında fotolüminesans (PL) ölçümü yapılmıştır. Ölçüm sonuçları ile teoriyi karşılaştırmak için InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapılarındaki optik bantlar arası geçişler Nextnano simülasyon programı ile hesaplanmıştır. Yapılan karakterizasyon ve simülasyon çalışmaları sonucunda Si-katkılı ve katkısız tabakalar arası geçiş sürelerinin yapıların kalınlığını ve InGaAs/InAlAs arayüzlerini etkilediği gözlemlenmiştir.en_US
dc.description.abstractIn the scope of this thesis, lattice mismatched (x?0.53, y?0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures on InP substrate were grown with the Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) system at Sivas Cumhuriyet University Nanophotonics Application and Research Center and characterizations were made. The lattice mismatched InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures were investigated by forming different combinations to obtain optimum values for Si-doped and undoped interlayer transition times. After growth, the crystal quality and thickness sensitivity of the samples were analyzed by X-ray diffraction (XRD). In addition, two different calculation methods from the Global Fit simulation program were used to examine the thickness sensitivities of the grown samples in more detail. In order to calculate the optical characterization and optical band transitions of the samples, photoluminescence (PL) measurements were made in the temperature range of 10 K-300 K. In order to compare the measurement results with the theory, the optical band transitions in InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures were calculated with the Nextnano simulation program. As a result of the characterization and simulation studies, it was observed that the transition times between Si-doped and undoped layers affect the thickness of the structures and the InGaAs/InAlAs interfaces.en_US
dc.identifier.endpage113en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=kIrIdtdJ31bRgjb6fHvMUUSuhUG7wKd9TAh2khDtQYV5L_Zvc0JwhQA5wZWJ8_wz
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12418/17592
dc.identifier.yoktezid779298en_US
dc.language.isotren_US
dc.publisherSivas Cumhuriyet Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.snmzYK_20241019en_US
dc.subjectBilim ve Teknolojien_US
dc.subjectScience and Technology ; Fizik ve Fizik Mühendisliğien_US
dc.titleÖrgü uyumsuz (x?0.53, y?0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapılarının movpe ile büyütülmesi ve optik karakterizasyonuen_US
dc.title.alternativeGrowth and optical characterization of lattice mismatch (x?0.53, y?0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures by movpeen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu