Üçlü GaAlAs/GaAs ve Gainas/GaAs nano yapıların elektronik özellikleri

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorElagöz, Sezai
dc.contributor.authorÖztürk, Ozan
dc.date.accessioned2024-10-19T19:27:11Z
dc.date.available2024-10-19T19:27:11Z
dc.date.issued2018
dc.departmentEnstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalıen_US
dc.descriptionFen Bilimleri Enstitüsü, Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu çalışmada, Ga_(1-x) Al_x As/GaAs ve Ga_(1-x) In_x As/GaAs yapılardan oluşan hem simetrik-asimetrik çift kuantum kuyuları hem de asimetrik üçlü kuantum kuyularının elektronik özellikleri (enerji özdeğer ve özfonksiyonları, olasılık yoğunlukları), sistemin ayarlanabilir fiziksel parametreleri (kuyu genişliği, potansiyel yüksekliği ve engel kalınlığı) bağlı olarak araştırılmıştır. Etkin kütle yaklaşımı kullanılarak, potansiyel profili tasarlanan sistemin enerji seviyeleri ve dalga fonksiyonları, Schrödinger dalga denkleminin çözümüyle hesaplanmış ve ilgili yapıların elektronik özellikleri karşılaştırılmıştır. Elde edilen sonuçlara göre; GaAlAs/GaAs yapıların elektronik özelliklerinin değişimi, sistemdeki fiziksel parametrelere GaInAs/GaAs yapısından daha duyarlıdır. Yapı parametrelerine bağlı olarak sistemlerin elektronik yapılarının değişimi, kuyu genişliği, potansiyel yüksekliği ve engel kalınlığının amaca yönelik ayarlanabilir parametreler biçiminde değerlendirilmesine olanak sağlar.en_US
dc.description.abstractIn this study, the electronic properties (energy eigenvalues and eigenfunctions, probability densities) of both symmetric-asymmetric double quantum wells and asymmetric triple quantum wells consisting of Ga_(1-x) Al_x As/GaAs and Ga_(1-x) In_x As/GaAs structures have been investigated depending on the adjustable structure parameters (well width, potential height and barrier thickness) of the system. Using the effective mass approach, the energy levels and wave functions of the system with the potential profile are calculated by solving the Schrödinger wave equation and the electronic properties of the related structures are compared. According to the results obtained; the change of electronic properties of GaAlAs/GaAs structure is more sensitive than GaInAs/GaAs structure to the physical parameters in the system. The variation of electronic structures of the systems as depending on the structure parameters allows the evaluation of well width, potential height and barrier thickness in the form of adjustable parameters for the purpose.en_US
dc.identifier.endpage83en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=fS4sqEZr79C_n60Rk6MjFXZiffYCbFchIsFoAGz9J5v5O3PzbVj7Vz25S_qcs_dL
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12418/17598
dc.identifier.yoktezid528838en_US
dc.language.isotren_US
dc.publisherSivas Cumhuriyet Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.snmzYK_20241019en_US
dc.subjectElektrik ve Elektronik Mühendisliğien_US
dc.subjectElectrical and Electronics Engineering ; Fizik ve Fizik Mühendisliğien_US
dc.titleÜçlü GaAlAs/GaAs ve Gainas/GaAs nano yapıların elektronik özelliklerien_US
dc.title.alternativeElectronic properties of triple GaAlAs/GaAs and Gainas/GaAs nano structuresen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu