Farklı katkılanmış yarı iletken malzemelerin arayüzey potansiyel profillerinin belirlenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorErgün, Yüksel
dc.contributor.authorÖztürk, Emine
dc.date.accessioned2024-10-19T19:22:44Z
dc.date.available2024-10-19T19:22:44Z
dc.date.issued1994
dc.departmentEnstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalıen_US
dc.descriptionBu tezin, veri tabanı üzerinden yayınlanma izni bulunmamaktadır. Yayınlanma izni olmayan tezlerin basılı kopyalarına Üniversite kütüphaneniz aracılığıyla (TÜBESS üzerinden) erişebilirsiniz.en_US
dc.descriptionFen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractÖZET Yüksek Lisans Tezi FARKLI «ATKILANMIŞ YARIİLETKEN MALZEMELERİN ARAYÜZEY POTANSİYEL PROFİLLERİNİN BELİRLENMESİ Emine OZTURK Cumhuriyet Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Deli Danışman: Yrd.. Doç. Dr. Yüksel Ergün Bu çalışmada ilk olarak düşük boyutlu sistemlerin temel özellikleri belirtildikten sonra, bulk Si ve GaAs yarıiletkenlerin özellikleri ve bu konuda yapılan çatışmalar özetlenmiştir. Son olarak, self-consistent (kendi-içinde tutarlı) hesap kuralları verilmiş ve iki GaAs tabakası arasında Si tabakası oluşturularak büyütülen £-katkılanmış GaAs yapısında arayüzey potansiyel profili, self-consistent' olarak hesaplanmıştır. ANAHTAR KELİMELER İki-boyutlu elektron gazı, S\-S katkılama GaAs katmanı, arayüzey potansiyel profili, kuantum kuyusu, altband, band eğilmesi, band enerjisi.en_US
dc.description.abstractABSTRACT M. Sc. Thesis THE DETERMINATION OF INTERFACE POTENTIAL PROFILES OF DIFFERENTLY DOPED SEMICONDUCTOR MATERIALS Emine ÖZTÜRK Cumhuriyet. University Graduate School of Natural and Applied Science; Department of Physics Supervisor : Dr. Yüksel ERGUN In this study, firstly, the main features of low dimensional systems were reported. Then, general informations about the modulation-doped and £-doped structures were given and the studies about this subject were summarized. Finaffy, seff-consistent calculation rules were expfanied for this aim, interface potential profile in 6-daped GeAs structure grown by forming SHeyer between the two GaAs layers is calculated self-consistently. KEY WORDS : Two-dimensional electron gas (2DEG). Si - S dope, Ga4s layer, interface potential profile, quantum well, subband, band bending, band- energy.en_US
dc.identifier.endpage56en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12418/16321
dc.identifier.yoktezid34308en_US
dc.language.isotren_US
dc.publisherCumhuriyet Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.snmzYK_20241019en_US
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğien_US
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleFarklı katkılanmış yarı iletken malzemelerin arayüzey potansiyel profillerinin belirlenmesien_US
dc.title.alternativeThe determination of interface potential profiles of differently doped semiconductor materialsen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu